クリスタルビジネス研究会　第103回研究会開催のお知らせ【終了】

• 日時：平成30年8月27日（月）
• 場所：早稲田大学 西早稲田キャンパス55号館Ｎ棟1階 第二会議室
• 参加費：5,000円（領収書は当日発行。自由討論会は無料）
• 申込先： 日本電子材料技術協会 事務局 [E-mail] jems@jems1962.org
             担当：島村清史（物材機構）
• 交通案内: 　www.waseda.jp/fsci/access/（外部サイト）
                   地下鉄東京メトロ副都心線 西早稲田駅下車
                   出口3（早大理工方面口）がキャンパスに直結
• 主催：日本結晶成長学会 バルク成長分科会

<プログラム>

座長：朝日透（早大）

• 13:00 開会の挨拶 物材機構　島村清史
• 13:05 SiCパワーデバイスの超高電圧分野への応用（大阪大学・中村孝）
• 13:40 超高純度・高品質ダイヤモンド結晶の化学気相成長 -パワーデバイス・量子デバイスへの応用を目指して-（物材機構・寺地徳之）
• 14:15 結晶成長の課題 “融液とルツボの濡れ”の原因と解決策（（株）ユニオンマテリアル・櫻木史郎）
• 14:50 ベンジルキラル結晶の光学活性の異方性（神奈川産総研・中川鉄馬）

座長：島村清史（物材機構）

• 15:35 透明蛍光サイアロンバルクセラミックスの開発（神奈川産総研・高橋拓実）
• 16:10 新規圧電単結晶の開発近況（東京工業大学・武田博明）
• 16:45 LPE成長法によるBi置換稀土類鉄ガーネット開発の歴史と今後の展望（（株）グラノプト・中川悟）
• 17:30　自由討論会　55号館1F　竹内ラウンジ（第二会議室向かい）